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LED主要参数及特性凯时娱乐手机网站

文章作者:admin 添加时间:2018-09-09 21:49 来源:未知 浏览次数:
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  • 产品名称:LED主要参数及特性凯时娱乐手机网站
  • 产品简介:LED主要参数及特性 LED 是使用化合物资料制成pn结的光电器材。它具有pn结结型器材的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱呼应特性、发光光强指向特性、时刻特性以及热学特性。本文将为你具体介绍。 1、LED电学特性 1.1 I-V特性 表征 LED芯片 pn结制备

产品介绍:

  LED主要参数及特性

  LED是使用化合物资料制成pn结的光电器材。它具有pn结结型器材的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光谱呼应特性、发光光强指向特性、时刻特性以及热学特性。本文将为你具体介绍。

  1、LED电学特性

  1.1 I-V特性

  表征LED芯片pn结制备功能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压体现低触摸电阻,反之为高触摸电阻。

  

  如上图:

  (1) 正向死区:(图oa 或oa′段)a点关于V0 为敞开电压,凯时娱乐手机网站。当V<Va,外加电场尚战胜不少因载流子分散而构成势垒电场,此刻R很大;敞开电压关于不同LED其值不同,GaAs 为1V,赤色GaAsP 为1.2V,GaP 为1.8V,GaN 为2.5V。

  (2)正向作业区:电流IF 与外加电压呈指数联系

  IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS

  为反向饱和电流。V>0 时,V>VF 的正向作业区IF 随VF 指数上升,

  IF = IS e qVF/KT

  (3)反向死区 :V<0 时pn 结加反偏压V= - VR 时,反向漏电流IR(V= -5V)时,GaP 为0V,GaN 为10uA。

  (4)反向击穿区 V<- VR ,VR 称为反向击穿电压;VR 电压对应IR 为反向漏电流。当反向偏压一向添加使V<- VR 时,环亚ag娱乐下载。则呈现IR 俄然添加而呈现击穿现象。因为所用化合物资料品种不同,各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。

  1.2 C-V特性

  鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um),10×10mil,11×11mil (280×280um),12×12mil (300×300um),故pn 结面积大小不一,使其结电容(零偏压)C≈n+pf左右。C-V 特性呈二次函数联系(如图2)。由1MHZ 沟通信号用C-V 特性测试仪测得。

  

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